Galijev antimonid GaSb

Opis

Galijev antimonid GaSb, poluvodič spojeva skupine III–V s rešetkastom strukturom cinkove mješavine, sintetiziran je pomoću 6N 7N elemenata galija i antimona visoke čistoće, te uzgojen u kristal LEC metodom iz usmjereno smrznutog polikristalnog ingota ili VGF metodom s EPD<1000cm^-3.GaSb pločica se može izrezati i kasnije proizvesti iz jednog kristalnog ingota s visokom ujednačenošću električnih parametara, jedinstvenom i konstantnom strukturom rešetke i niskom gustoćom defekata, najvećim indeksom loma od većine drugih nemetalnih spojeva.GaSb se može obraditi sa širokim izborom u točnoj ili neorijentiranoj orijentaciji, niskoj ili visokoj koncentraciji dopiranog, dobroj završnoj obradi površine i za MBE ili MOCVD epitaksijalni rast.Supstrat galijevog antimonida koristi se u najsuvremenijim fotooptičkim i optoelektroničkim primjenama kao što su izrada foto detektora, infracrveni detektori s dugim životnim vijekom, visokom osjetljivošću i pouzdanošću, fotorezistentna komponenta, infracrvene LED diode i laseri, tranzistori, termalne fotonaponske ćelije i termo-fotonaponskih sustava.

Dostava

Galijev antimonid GaSb u Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi s n-tipom, p-tipom i nedopiranom poluizolacijskom vodljivošću u veličini od 2” 3” i 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) promjera, orijentacije <111> ili <100>, i sa završnom obradom površine pločice kao što je izrezana, ugravirana, polirana ili visokokvalitetna završna obrada spremna za epitaksiju.Svi su rezovi pojedinačno laserski iscrtani radi identifikacije.U međuvremenu, polikristalni galij antimonid GaSb komad također se prilagođava prema zahtjevu za savršeno rješenje.

Upit sada

pojedinosti

Oznake

Tehničke karakteristike

Galijev antimonid

GaSb

Galijev antimonid GaSbsupstrat se koristi u najsuvremenijim fotooptičkim i optoelektroničkim primjenama kao što su izrada foto detektora, infracrveni detektori s dugim životnim vijekom, visokom osjetljivošću i pouzdanošću, fotootporne komponente, infracrvene LED diode i laseri, tranzistori, toplinske fotonaponske ćelije i termo -fotonaponski sustavi.

	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Veličina	2"	3"	4"
2	Promjer mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasta	LEC	LEC	LEC
4	Provodljivost	P-tip/dopiran Zn, nedopiran, N-tip/dopiran Te
5	Orijentacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debljina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orijentacija Ravno mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikacija Stan mm	8±1	11±1	18±1
9	Pokretljivost cm2/Vs	200-3500 ili po potrebi
10	Koncentracija nosača cm-3	(1-100)E17 ili prema potrebi
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Luk μm maks	15	15	15
13	Deformacija μm max	20	20	20
14	Gustoća dislokacije cm-2 max	500	1000	2000. godine
15	Završna obrada	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakiranje	Pojedinačna posuda za vafle zatvorena u aluminijskoj vrećici.

Linearna formula	GaSb
Molekularna težina	191.48
Kristalna struktura	Mješavina cinka
Izgled	Siva kristalna krutina
Talište	710°C
Vrelište	N/A
Gustoća na 300K	5,61 g/cm³
Energetski jaz	0,726 eV
Unutarnji otpor	1E3 Ω-cm
CAS broj	12064-03-8
EC broj	235-058-8

Galijev antimonid GaSbu Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi s n-tipom, p-tipom i nedopiranom poluizolacijskom vodljivošću u veličini od 2” 3” i 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) promjera, orijentacije <111> ili <100 >, i sa završnom obradom površine vafera kao što je izrezana, ugravirana, polirana ili visokokvalitetna završna obrada spremna za epitaksiju.Svi su rezovi pojedinačno laserski iscrtani radi identifikacije.U međuvremenu, polikristalni galij antimonid GaSb komad također se prilagođava prema zahtjevu za savršeno rješenje.