Indijev arsenid InAs

Opis

Kristal indija arsenida InAs je složeni poluvodič skupine III-V sintetiziran s najmanje 6N 7N čistim elementom indija i arsena i uzgojen monokristal pomoću VGF ili Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) procesa, izgleda sive boje, kubičnih kristala sa strukturom cinkove mješavine , talište 942 °C.Zazor indijevog arsenida izravni je prijelaz identičan galijevom arsenidu, a zabranjena širina pojasa je 0,45 eV (300 K).InAs kristal ima visoku uniformnost električnih parametara, konstantnu rešetku, visoku pokretljivost elektrona i nisku gustoću defekata.Cilindrični kristal InAs uzgojen pomoću VGF-a ili LEC-a može se izrezati i proizvesti u pločicu kao izrezana, ugravirana, polirana ili epi-spremna za MBE ili MOCVD epitaksijalni rast.

Prijave

Kristalna pločica indijevog arsenida izvrstan je supstrat za izradu Hallovih uređaja i senzora magnetskog polja zbog njegove vrhunske Hall pokretljivosti, ali uskog energetskog pojasa, idealan materijal za konstrukciju infracrvenih detektora s rasponom valnih duljina od 1–3,8 µm koji se koriste u aplikacijama veće snage na sobnoj temperaturi, kao i infracrveni superrešetkasti laseri srednje valne duljine, proizvodnja LED uređaja srednje infracrvene duljine za raspon valnih duljina od 2-14 μm.Nadalje, InAs je idealan supstrat za daljnju podršku heterogenih InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ili AlGaSb strukture super rešetke itd.

Upit sada

pojedinosti

Oznake

Tehničke karakteristike

Indijev arsenid

InAs

Indijeva arsenidna kristalna pločaodličan je supstrat za izradu Hallovih uređaja i senzora magnetskog polja zbog vrhunske pokretljivosti Halla, ali uskog energetskog pojasa, idealan materijal za konstrukciju infracrvenih detektora s rasponom valnih duljina od 1–3,8 µm koji se koriste u aplikacijama veće snage na sobnoj temperaturi, kao i infracrveni superrešetkasti laseri srednje valne duljine, proizvodnja LED uređaja srednje infracrvene duljine za raspon valne duljine od 2-14 μm.Nadalje, InAs je idealan supstrat za daljnju podršku heterogenih InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ili AlGaSb strukture super rešetke itd.

Ne.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Veličina	2"	3"	4"
2	Promjer mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasta	LEC	LEC	LEC
4	Provodljivost	P-tip/dopiran Zn, N-tip/dopiran S, nedopiran
5	Orijentacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debljina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orijentacija Ravno mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikacija Stan mm	8±1	11±1	18±1
9	Pokretljivost cm2/Vs	60-300, ≥2000 ili prema potrebi
10	Koncentracija nosača cm-3	(3-80)E17 ili ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Luk μm maks	10	10	10
13	Deformacija μm max	15	15	15
14	Gustoća dislokacije cm-2 max	1000	2000. godine	5000
15	Završna obrada	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakiranje	Pojedinačna posuda za vafle zatvorena u aluminijskoj vrećici.

Linearna formula	InAs
Molekularna težina	189.74
Kristalna struktura	Mješavina cinka
Izgled	Siva kristalna krutina
Talište	(936-942)°C
Vrelište	N/A
Gustoća na 300K	5,67 g/cm³
Energetski jaz	0,354 eV
Unutarnji otpor	0,16 Ω-cm
CAS broj	1303-11-3
EC broj	215-115-3

Indijev arsenid InAsu Western Minmetals (SC) Corporation mogu se isporučiti kao polikristalne grude ili monokristali kao izrezane, ugravirane, polirane ili epi-gotove pločice u veličini od 2” 3” i 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) promjera, i p-tip, n-tip ili nedopirana vodljivost i <111> ili <100> orijentacija.Prilagođena specifikacija je savršeno rješenje za naše klijente širom svijeta.